Memória Kingston 4GB 2666MHz DDR4 CL19 KVR26N19S6/4

Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V Típico.

VDDQ = 1,2 V Típico.

VPP = 2,5 V Típico.

VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V.

Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, strobe e máscara.

Auto-atualização de baixa potência (LPASR).

Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados.

Geração e calibração de VREFDQ na matriz.

Única fila.

EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 on-board.

8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada.

Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 por meio do conjunto de registro de modo (MRS).

BC4 selecionável ou BL8 on-the-fly (OTF).

Topologia de passagem.

Comando de controle terminado e barramento de endereço.

PCB: Altura 1,23" (31,25 mm).

Compatível com RoHS e livre de halogênio.